SK Hynix: Hingga DDR5-8400 pada 1,1 volt
November lalu, kami melaporkan bahwa SK Hynix telah mengembangkan dan mendistribusikan DRAM DDR5 pertamanya. Kami semakin dekat hari ini dan kami juga tahu bahwa SK Hynix baru-baru ini menjalankan DRAM DDR5-6400, tetapi hari ini perusahaan telah menyarankan perencanaan untuk menawarkan hingga DDR5-8400, dengan ECC setelah Power on dan drive dengan mudah hanya 1,1 Volt.
Dengan semakin pentingnya CPU inti saat pertempuran sengit antara Intel dan AMD berlanjut di pasar desktop, seluler, dan profesional, permintaan akan kinerja produktivitas yang lebih tinggi sangat tinggi di pasar. Sebagai perbandingan, bandwidth memori tidak meningkat banyak, dan sampai batas tertentu hewan membutuhkan makanan. Dengan mempublikasikan lebih banyak detail teknis di situs resminya, SK Hynix bekerja keras untuk menyempurnakan chip DDR5 dengan kapasitas masing-masing hingga 64 GB.
SK Hynix sebelumnya berjalan pada DDR5-6400 DRAM, 16 GB termasuk 32 bank, dengan 8 grup bank yang memiliki bandwidth dua kali lipat dari yang tersedia dan tersedia dibandingkan dengan DDR4-3200. Sebagai referensi, DDR4 menggunakan 16 bank dengan 4 Grup Bank. Solusi utama untuk meningkatkan jangkauan adalah panjang cluster, yang berlipat ganda menjadi 16 vs 8 Pada DDR4. Faktor lain yang perlu diingat adalah bahwa DDR4 tidak dapat diimplementasikan dengan meluncurkan proxy selama proses pembaruan. Ini menggunakan DDR5 SBRF (fitur pembaruan bank yang sama) yang memungkinkan sistem untuk menggunakan bank lain saat menggunakan bank lain, yang secara teori meningkatkan akses ke memori.
Seperti disebutkan sebelumnya, SK Hynix memiliki DDR5-6400 yang terlihat dibangun di atas 2: node 10nm generasi. SK Hynix kini telah menyertakan rencana pengembangan hingga DDR5-8400. Seperti metode memori DRAM DDR5-6400, DDR5-8400 membutuhkan lebih banyak pemikiran dan aplikasi. Yang menarik dari SK Hynix DDR5-8400 adalah lompatan di bank memori, dengan DDR5-8400 menggunakan 32 bank, dengan 8 Grup Bank.
Tidak hanya konten bandwidth memori dan kinerja DDR4, DDR5 baru akan berjalan pada tegangan operasi 1,1 Volt. Ini sesuai dengan pengurangan 9% dalam tegangan operasi DDR4 dirancang untuk membuat DDR5 lebih hemat daya, dengan laporan SK Hynix bertujuan untuk mengurangi konsumsi daya per bandwidth lebih dari 20% pada DDR4.
Untuk meningkatkan kinerja dan meningkatkan keandalan dalam skenario server, gunakan DDR4-8400 Error Correction and Error Checking and Scrubbing (ECS), yang merupakan tonggak utama dalam produksi DDR5. Hal ini diharapkan dapat mengurangi biaya total, karena ECS mencatat semua kesalahan yang ada dan menghitung jumlah kesalahan untuk nilainya. Ini dirancang untuk meningkatkan transparansi dalam rangka memberikan peningkatan keandalan dan layanan dalam sistem host. Juga dimasukkan ke dalam desain DRAM memori DDR5-8400 Resolution Equation Equation (DFE), yang dirancang untuk menghilangkan noise pantulan saat beroperasi pada kecepatan tinggi. SK Hynix mencatat bahwa ini secara signifikan meningkatkan kecepatan setiap pin.
Pada gambar di atas perbandingan khusus antara DDR4 dan DDR5 dari SK Hynix, menarik untuk dicatat bahwa ini mengacu pada chip DRAM dengan kepadatan hingga 64 Gb. Kita sudah tahu bahwa ukuran chip DDR5 adalah 65,22 mm², dengan kecepatan data 6,4 Gigabit per detik per pin, dan menggunakan proses pembuatan DRAM 4-Metal 1ynm. Perlu dicatat bahwa DDR5-5200 RDIMM yang kami laporkan pada 18 November menggunakan Chip DRAM 16 GB, dengan ruang lingkup tambahan 32 GB. SK Hynix bertujuan untuk menggandakan ini menjadi 64 GB kepadatan ganda, lebih sedikit chip daya dengan 1,1 Volt.
Manajer Perencanaan Produk DR HAMP di SK Hynix, Sungsoo Ryu:
“Dalam revolusi industri keempat, diwakili oleh 5G, kendaraan otonom, kecerdasan buatan, AR, virtual reality (VR), data besar, dan aplikasi lainnya, DDR5 DRAM dapat digunakan. untuk komputasi dan data berkinerja tinggi berbasis AI generasi mendatang. analitik”.
SK Hynix Jika tetap sesuai jadwal dengan pandemi virus corona COVID-19 saat ini, sepertinya DDR5 akan diproduksi massal akhir tahun ini.
