Memori Kelas Penyimpanan Toshiba XL-FLASH diperkenalkan
Toshiba Memory hari ini memperkenalkan solusi Storage Class Memory (SCM) baru XL-FLASH. Memori baru ini didasarkan pada teknologi memori flash 3D BiCS FLASH perusahaan dengan SLC 1-bit per sel, XL-FLASH menghadirkan latensi rendah dan kinerja tinggi ke pusat data dan penyimpanan perusahaan.
Memori XL-FLASH telah dirancang untuk mengisi kekosongan di antara S DRAM dan NAND flash, menghadirkan peningkatan kecepatan latensi dan kapasitas penyimpanan yang lebih tinggi dengan biaya lebih rendah daripada DRAM tradisional. Toshiba pada awalnya akan meluncurkan memori XL-FLASH dalam format SSD tetapi teknologinya kemudian dapat diperluas ke perangkat yang terhubung dengan saluran memori yang duduk di bus DRAM, menjelaskan siaran pers hari ini dari Toshiba.
“Dengan XL-FLASH, kami memberikan penyedia penyimpanan / server laterscalers dan perusahaan solusi yang lebih hemat biaya, latensi lebih rendah yang menjembatani kesenjangan antara kinerja DRAM dan NAND,” kata Scott Nelson, wakil presiden senior dan general manager dari Toshiba Memory Unit Bisnis Memori America, Inc. “Kami juga membuka pintu untuk teknologi yang muncul dan standar industri yang akan memungkinkan berbagai faktor bentuk untuk solusi memori flash latensi rendah. SCM adalah perbatasan berikutnya untuk penyimpanan perusahaan, dan peran kami sebagai salah satu pemasok memori flash terbesar di dunia memberi XL-FLASH keunggulan biaya / kinerja dibandingkan solusi SCM yang bersaing. "
Fitur dari memori Toshiba XL-FLASH baru meliputi:
– 128 gigabit (Gb) die (dalam paket 2-die, 4-die, 8-die)
– Ukuran halaman 4 KB untuk membaca dan menulis sistem operasi yang lebih efisien
– Arsitektur 16-bidang untuk paralelisme yang lebih efisien
– Cepat membaca halaman dan program kali. XL-FLASH menyediakan latensi baca rendah kurang dari 5 mikrodetik, sekitar 10 kali lebih cepat dari TLC yang ada
Sumber: Toshiba
